王岩山 1,2彭万敬 1,2王珏 1,2杨小波 1,2[ ... ]唐淳 1,2
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院 高能激光科学与技术重点实验室,四川 绵阳 621900
3 中国工程物理研究院 研究生部,北京 100088
强激光与粒子束
2023, 35(8): 089901
王岩山 1,2彭万敬 1,2王珏 1,2杨小波 1,2[ ... ]唐淳 1,2
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,四川 绵阳 621900
中国激光
2022, 49(18): 1816003
王岩山 1,2,3,4马毅 1,3孙殷宏 1,3,*王珏 1,3[ ... ]唐淳 1,3
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
2 南京理工大学先进固体激光工业与信息化部重点实验室, 江苏 南京 210094
3 中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
4 中国工程物理研究院研究生部, 北京 100088
通过同时抑制受激布里渊散射和自脉冲效应,实现了具有窄线宽和近衍射极限光束质量的高功率、线偏振全光纤放大器,其最高输出激光功率为2.62 kW,光光效率达到了86.7%,光束质量M2、偏振消光比及光谱线宽在放大过程中基本保持不变,M2小于1.3,偏振消光比约为96.3%,3 dB线宽为32 GHz,20 dB二阶矩线宽为30 GHz。2.62 kW是目前报道的窄线宽线偏振全光纤结构激光器能达到的最高输出功率。
激光器 高功率光纤激光 窄线宽 线偏振 
中国激光
2019, 46(12): 1215001
作者单位
摘要
北京空间机电研究所, 北京 100094
从可见光到热红外的全谱段探测的多光谱成像仪器能够同时对可见光、近红外、短波红外、中波红外、长波红外光谱范围内的多个谱段进行探测, 是目前得到广泛研究及应用的成像光谱仪器。这类仪器在国土资源、环境监测、城市遥感、海洋监管等方面均有较高的应用价值。本文概述了此类仪器的国内外研究发展现状, 对国外 Landsat系列载荷、MODIS、国内的资源系列载荷、高分五号全谱段光谱成像仪等代表性仪器的技术指标和特点进行了总结。通过分析认为更加全面和精细的光谱覆盖、成像方式的改进与技术指标提高、定标手段和定量化水平提高、数据的持续性及稳定性是未来发展的趋势。
可见光 红外 星载 多光谱成像 全谱段光谱成像仪 visible infrared space-borne multi-spectral image VIMI 
红外技术
2019, 41(2): 107
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况, 分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点, 讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上, 提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术, 生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料, 并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件, 结果显示, 其光谱响应范围为255~280nm, 位于日盲波段, 0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%), 有效像元数大于99.2%, 响应非均匀性小于3.36%。
响应均匀性 日盲探测器 混合集成结构 焦平面阵列 response uniformity solar-blind detector hybrid structure focal plane arrays 
半导体光电
2018, 39(2): 156
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放.用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并显示出清晰的阶梯流表面形貌,其平均粗糙度为0.160nm,KOH腐蚀坑密度为5.8×108cm-2,(0002)和(10-12)回摆曲线FWHM分别为210″和396″.详细论述了AlN外延层的生长模式、位错行为和应力释放途径.
原子力显微镜 X射线衍射 AlN AlN MOCVD MOCVD AFM X-ray diffraction 
半导体光电
2015, 36(3): 412
作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子工程学院, 成都 611731
2 电子科技大学 光电信息学院, 成都 611731
提出一种相干激光聚焦式传输进行相干合成的方法。通过液晶相控阵波束方向控制技术, 可以在目标区域内的任意位置进行相干合成。基于实际参数, 建立相干合成理论模型, 在此模型下5束相干激光在距离为100 m、坐标为2 m的位置进行相干合成后, 激光的峰值光强增加到单束激光的16.9倍。研究了目标区域内不同位置的峰值光强变化规律, 分析发现光束抖动的直接原因是出射激光的相位面产生畸变, 深层原因是电压量化引起的相位延迟误差。量化位数小于16时, 增加量化位数可以显著减小位置误差, 提高峰值光强;量化位数大于16时, 量化位数不再是位置误差的主要原因。传播距离大于5000 m时聚焦式相干合成可等效为平行式相干合成, N束激光合成后峰值光强接近单束激光的N2倍。
相干合成 液晶相控阵 位置误差 量化位数 coherent beam combining liquid crystal optical phased array position error quantization bit 
强激光与粒子束
2015, 27(5): 051015
作者单位
摘要
1 许昌学院电气信息工程学院,河南 许昌 461000
2 大连理工大学电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024
为进一步减小光源的体积、简化光路系统结构,消除毛细管电泳芯片诱导荧光检测系统中激发光源的反射光和杂散光的干扰,设计并建立了垂直层叠结构的有机发光二极管诱导荧光检测系统。针对有机发光二极管器件发光强度较低的问题,采用在器件的玻璃基底表面贴附微透镜阵列薄膜的方法,提高了入射光的强度。在对CCD积分时间、PDMS 微透镜直径及两偏振片间的偏振角度等参数进行优化之后,利用检测系统实现了罗丹明B 样品溶液的毛细管电泳分离。
微透镜阵列 有机发光二极管光源 毛细管电泳芯片 荧光检测 micro lens array organic light emitting diode capillary electrophoresis microchip fluorescence detection 
光电工程
2015, 42(1): 6
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/ GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化, 获得了高质量的外延材料。
大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs highly strained mini-band supper-lattices QWIP MOCVD MOCVD 
半导体光电
2013, 34(2): 221
Author Affiliations
Abstract
Dual beam deflection models based on one dimensional liquid crystal optical phased array (LCOPA) are discussed and compared in this letter. The far-field diffraction performance of the models is influenced by various impact factors, such as fill factor and fringing electric fields. For optimizing far-field diffraction performance, the combined influence of different impact factors is analyzed and a phase iterative algorithm which use the root-mean-square (RMS) phase deviation as a performance index is presented. The proposed algorithm is able to reduce phase deviation and improve the performance of far-field diffraction pattern at the same time. The simulation and experiments used in the letter effectively verify the proposed algorithm.
050.1950 Diffraction gratings 230.3720 Liquid-crystal devices 120.5060 Phase modulation 230.1950 Diffraction gratings 
Chinese Optics Letters
2012, 10(s2): S20502

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